Olac-vaw, R. W.: шукати на сайті Z-Library

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024 Про збір коштів

Найбільша колекція наукових статей у сіті. 70,000,000+ безкоштовних статей.

Пожертвування 15 вересня 2024 – 1 жовтня 2024

Z-Library - одна з найбільших онлайн-бібліотек у світі, в якій зберігається більше 17,000,000 книг та 84,837,000 статей. Ми намагаємось зробити літературу доступною кожному. Сьогодні (15 вересня 2024) ми відкриваємо додатковий збір пожертвувань на підтримку та розвиток проекту.

Також БЕЗЛІМТНІ завантаження (протягом 31 дня після завершення пожертвування) доступні для ВСІХ користувачів, які підтримають проект в період збору коштів до 1 жовтня 2024.

Про збір коштів Детальніше

Підтримати

Книги
Статті (8)
Найпопулярніші
Перелік
- Перелік
- Таблиця

1

[IEEE 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Pasadena, CA, USA (2016.4.17-2016.4.21)] 2016 IEEE International Reliability Physics Symposium (IRPS) - Transistor reliability characterization and comparisons for a 14 nm tri-gate technology optimized for System-on-Chip and foundry platforms

Prasad, C., Park, K. W., Chahal, M., Meric, I., Novak, S. R., Ramey, S., Bai, P., Chang, H.-Y., Dias, N. L., Hafez, W. M., Jan, C.-H., Nidhi, N., Olac-vaw, R. W., Ramaswamy, R., Tsai, C.

Рік:

2016

Мова:

english

Файл:

PDF, 2.24 MB

english, 2016

2

Ambipolar Behavior in Epitaxial Graphene-Based Field-Effect Transistors on Si Substrate

Olac-vaw, Roman, Kang, Hyun-Chul, Karasawa, Hiromi, Miyamoto, Yu, Handa, Hiroyuki, Fukidome, Hirokazu, Suemitsu, Tetsuya, Suemitsu, Maki, Otsuji, Taiichi

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 352 KB

english, 2010

3

Erratum: “Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates”

Kang, Hyun-Chul, Olac-vaw, Roman, Karasawa, Hiromi, Miyamoto, Yu, Handa, Hiroyuki, Suemitsu, Tetsuya, Fukidome, Hirokazu, Suemitsu, Maki, Otsuji, Taiichi

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 66 KB

english, 2010

4

[IEEE 2011 36th International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves (IRMMW-THz 2011) - Houston, TX, USA (2011.10.2-2011.10.7)] 2011 International Conference on Infrared, Millimeter, and Terahertz Waves - Hot electron microbolometers based on GaN heterostructures for THz applications

Ramaswamy, R., Wang, K., Muraviev, A., Gaska, R., Yang, J., Sergeev, A., Olac-Vaw, R., Mitin, V.

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 129 KB

english, 2011

5

[IEEE 2010 IEEE 3rd International Nanoelectronics Conference (INEC) - Hong Kong, China (2010.01.3-2010.01.8)] 2010 3rd International Nanoelectronics Conference (INEC) - Optoelectronic application of multi-layer epitaxial graphene on a Si substrate

Olac-vaw, R., Kang, H.C., Komori, T., Watanabe, T., Karasawa, H., Miyamoto, Y., Handa, H., Fukidome, H., Suemitsu, T., Suemitsu, M., Mitin, V., Otsuji, T.

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 132 KB

english, 2010

6

Addressable photocharging of single quantum dots assisted with atomic force microscopy probe

Dokukin, M., Olac-Vaw, R., Guz, N., Mitin, V., Sokolov, I.

Журнал:

Applied Physics Letters

Рік:

2009

Мова:

english

Файл:

PDF, 431 KB

english, 2009

7

Extraction of Drain Current and Effective Mobility in Epitaxial Graphene Channel Field-Effect Transistors on SiC Layer Grown on Silicon Substrates

Kang, Hyun-Chul, Olac-vaw, Roman, Karasawa, Hiromi, Miyamoto, Yu, Handa, Hiroyuki, Suemitsu, Tetsuya, Fukidome, Hirokazu, Suemitsu, Maki, Otsuji, Taiichi

Журнал:

Japanese Journal of Applied Physics

Рік:

2010

Мова:

english

Файл:

PDF, 470 KB

english, 2010

8

On Possible Use of Capped Quantum Dots in Memory Devices

Dokukin, M., Guz, N., Olac-Vaw, R., Mitin, V., Sokolov, I.

Журнал:

Journal of Computational and Theoretical Nanoscience

Рік:

2011

Мова:

english

Файл:

PDF, 1.35 MB

english, 2011